將硫化鉀粉末與市售的多晶HAP粉末以1.6的重量比混合。
  將混合物置于干凈的氧化鋁坩堝中，并在爐中從室溫加熱至1190℃，加熱速率為5℃/min（~4h）。
  將溫度保持在1190°C3.5小時，將產品自然冷卻至爐內的室溫。
  用90℃水洗滌固化的物質三次，在空氣中干燥單晶HAP晶須24小時。
  將10mg晶體置于微管中，用1mL甘氨酸-HCl緩沖液（0.2M，pH2.2）蝕刻靶HAP單晶的表面5分鐘以除去雜質（在室溫下輕輕搖動）。
  通過加入150μLpH9TBS，高壓滅菌中和混合物，離心混合物并移出蝕刻劑溶液。
  用TBS（50mMTris-HCl，pH7.5,150mMNaCl，高壓滅菌）洗滌晶體五次。
  將晶體（~10mg/mL）儲存在pH7.5TBST（含有0.1％，v/v，Tween20的TBS）中。